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半導體功率模組

HIITIO 電源模組專為高效電源轉換和控製而設計,整合了 IGBT、MOSFET 和 SiC 技術。它們具有高功率密度和低損耗,廣泛應用於工業、再生能源、電動交通和家用電器。

項目類別
模組類型
封裝
電路圖
阻斷電壓 (V)
電流(A)
RDS(on) (mΩ)
最高溫度(℃)
關鍵詞 排序結果
重設 在斷裂前,
圖片
零件號
類型
封裝
電路圖
阻斷電壓 (V)
電流(A)
導通電阻 (mΩ)
最高溫度(℃)
論文規範
碳化矽SBD
TO-220-2
1200
2
159
碳化矽SBD
TO-220-2
650
4
153
碳化矽SBD
DFN8*8
650
6
159
碳化矽SBD
SOT-227
1200
120
108
碳化矽SBD
TO-247-3
1200
16
155
碳化矽SBD
TO-247-3
1200
20
152
碳化矽SBD
TO-247-2
1200
20
150
碳化矽SBD
TO-247-3
1200
40
151
碳化矽SBD
TO-247-2
1200
40
155
碳化矽SBD
TO-247-2
1200
60
144
IGBT
H1
3300
1000
IGBT
Easy 2B
FL: 3-level
650
100
IGBT
Easy 2B
FL: 3-level
650
100
150
IGBT
Econo PIM 2H
FT: Three phase
1200
100
150
IGBT
Econo PIM 2H
FT: Three phase
1200
100
150
IGBT
E6
Chopper
1700
1200
IGBT
H
3300
1500
IGBT
Econo PIM 3H
FF : Full-Bridge
1700
150
IGBT
Easy 2B
FL: 3-level
650
150
IGBT
Easy 2B
FL: 3-level
650
150
150
12...7
HIITIO標誌滿300

立即聯絡我們,了解我們的創新產品如何為您未來的專案提供動力!

HIITIO 擁有超過 20 年的經驗和遍布 500 多個國家的 50 多家滿意客戶,是您在高壓直流解決方案領域值得信賴的合作夥伴 電動汽車, 太陽能係統, 儲能應用,等等。

播放視頻

浙江海拓新能源有限公司擁有 20 多年的電力電子專業知識和 70 多名研發工程師組成的團隊,為全球提供創新的能源轉換解決方案。

我們的產品專注於 IGBT 和 MOSFET 模組、電源轉換系統和先進封裝技術,為電動車、再生能源系統和工業馬達驅動器等應用提供動力。

立即與我們聯繫,改變您的能源未來!

技術比較

了解不同半導體技術對您的應用的優點。

參數 矽基 IGBT 碳化矽MOSFET 碳化矽/矽混合材料 壓接包裝 IGBT
開關頻率 低 - 中
1-20kHz
很高
50-200kHz

20-100kHz

0.1-5kHz
系統效率 95,97% 98,99% 97,98% 96,98%
功率密度 媒材
2-5千瓦/升
很高
10-20千瓦/升

5-15千瓦/升
很高
8-25千瓦/升
初始投資成本
Baseline

3-5x
媒材
1.5-2x
中等偏上
2-3x
最高結溫 150°C 200°C以上 175°C 125-150℃,
額定電壓 高達 6500V 高達 1700V 高達 1700V 高達 6500V
應用例子 電機驅動
太陽能逆變器
電動汽車充電器
太陽能逆變器
工業驅動
能源儲備
高壓直流輸電系統
風力發電
市場成熟度 非常成熟 發展 新興市場 六度老陳

📋 選擇指南

✓ 在以下情況下選擇 Si IGBT:
  • 成本是首要考慮因素
  • 低開關頻率
  • 需要高電壓
  • 需要經過驗證的技術
✓ 在下列情況下選擇 SiC MOSFET:
  • 高效率至關重要
  • 需要緊湊的尺寸
  • 高頻工作
  • 熱性能很重要
✓ 在下列情況下選擇 SiC/Si 混合材料:
  • 平衡成本與性能
  • 從 Si IGBT 升級
  • 中頻應用
  • 妥協方案
✓ 在下列情況下選擇媒體包:
  • 需要超高功率
  • 需要出色的冷卻
  • HVDC應用
  • 最高可靠性

產品選擇指南

只需 4 個簡單的步驟即可找到適合您應用的完美電源模組。

您的主要應用是什麼?

電機驅動

高開關頻率能力,具有優異的熱性能。

高壓直流輸電

具有超高電壓能力和卓越的功率處理能力

UPS系統

具有超高電壓能力和卓越的功率處理能力

再生能源

太陽能和風能應用的最高效率和可靠性。

定義應用程式

確定應用(工業驅動器、光伏逆變器、電動車、儲能或電網傳輸)並定義性能、壽命和環境條件的要求。

電壓和電流需求

選擇適當的電壓範圍 (600V–6500V) 和電流容量。高壓系統適合高壓 IGBT 或壓接式 IGBT;中低壓高效能應用則適用於 SiC 模組或 SiC 分立元件。

切換與效率

評估開關頻率和效率需求。高頻應用(例如快速充電器、光伏逆變器)需要 SiC 模組,而傳統驅動器可以使用 IGBT 模組。

熱處理和包裝

評估封裝和冷卻解決方案。壓接式 IGBT 在高熱循環條件下表現出色,SiC 分立元件適用於緊湊型系統,而混合模組則可平衡散熱和尺寸。

我們一路同行

01

半導體IGBT功率模組Precess-10

晶圓鋸切

02

半導體IGBT功率模組Precess-15

激光打標

03

半導體IGBT功率模組Precess-2

晶片貼裝

04

半導體IGBT功率模組Precess-1

自動插針

05

5 銅線綁定 IGBT MOSFET 功率模組製造步驟(5)

銅線結合

06

IGBT功率模組工藝162057

機殼雷射打標

07

7 外殼組裝 IGBT MOSFET 功率模組製造步驟(3)

案例彙編

08

半導體IGBT功率模組Precess-16

HTRB測試

09

半導體IGBT功率模組Precess-17

產品測試

進階功能和優勢

HIITIO 的半導體電源模組為工業、汽車和可再生應用提供高效的高壓電源轉換。

高效率

新一代 IGBT 和 SiC 模組可減少開關損耗和冷卻需求,進而提高整體系統效率。

強大的可靠性

工業級測試和先進的封裝(如銀燒結和雙面冷卻)確保在高負載和溫度下穩定運作。

質量認證

符合 IEC 標準,並獲得 ISO 和 IATF 認證,確保汽車和能源領域的可靠性。

為什麼選擇HIITIO

可擴展的生產保證

HIITIO擁有3,100平方公尺的生產基地,其中包括1,500平方公尺的專用功率模組生產線。其萬級無塵室支援年產能10,000萬台,滿足工業及新能源領域的大批量交付需求

頂級研發能力

我們的研發團隊50%擁有碩士/博士學位,核心成員平均擁有超過10年的電源模組開發經驗。我們已成功建構了涵蓋650-6500+電壓範圍、10-5000A額定電流的完整產品矩陣,涵蓋以下主流拓撲結構: PIM/6 件裝/半橋。

軍工級品質體系

實施了23%X射線空洞檢查、動態/靜態電氣性能測試等100個品質控制檢查點。產品符合IEC-60747/60749/60068標準,SiC模組可承受高達200°C的高溫工作。

深受全球產業客戶信賴

常見問題

IGBT、SiC、混合模組之間有什麼區別?

IGBT適合大電流,SiC可實現高效率,而混合型則將兩者結合以達到性價比平衡。

它們整合了優化的晶片和封裝,以減少損耗、提高熱性能, boost 密度。

模組支援風冷、液冷、雙面冷卻,確保高負載下性能穩定。

透過適當的冷卻,模組的使用壽命為 15 至 20 年;汽車的使用取決於負載和溫度循環。

HIITIO 提供全面的技術支援、測試協助和長期合作夥伴服務,幫助主要客戶實現可靠、經濟高效且可擴展的解決方案。

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