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SiC 功率模組

探索 HIITIO 的創新 SiC 功率半導體模組系列,利用碳化矽的功率打造下一代電力電子裝置。這些模組具有卓越的效率、強大的高溫性能和無與倫比的可靠性,非常適合電動汽車、再生能源和工業領域的嚴格應用。

項目類別
模組類型
封裝
電路圖
阻斷電壓 (V)
電流(A)
RDS(on) (mΩ)
最高溫度(℃)
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零件號
類型
封裝
電路圖
阻斷電壓 (V)
電流(A)
導通電阻 (mΩ)
最高溫度(℃)
論文規範
碳化矽MOSFET
Easy 2B
2300
碳化矽
Easy 1B
Half Bridge
1200
150
6.2
175
碳化矽
Easy 2B
Half Bridge
1200
200
6
175
碳化矽
Easy 2B
Half Bridge
1200
160
7.5
175
碳化矽
Easy 1B
FT: Three phase
1200
150
9
175
碳化矽
62mm
Half Bridge
1200
200
8.48
175
碳化矽
62mm
Half Bridge
1700
300
6.7
175
碳化矽
Econo Dual 3B
Half Bridge
1700
400
4.5
175
碳化矽
62mm
Half Bridge
1200
360
4.25
175
碳化矽
62mm
Half Bridge
1700
400
5.2
175
碳化矽
Flow0
Dual Boost
1200
50
40
175
碳化矽
Econo Dual 3A
Half Bridge
1200
600
3.2
175
碳化矽
Econo Dual 3C
Half Bridge
1200
600
2.2
175
碳化矽
Econo Dual 3A
Half Bridge
1700
600
3.4
175
碳化矽
Econo Dual 3C
Half Bridge
1200
800
1.7
175
碳化矽
Econo Dual 3A
Half Bridge
1700
800
2.8
175
碳化矽
Econo Dual 3A
Half Bridge
1200
900
2
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