每一瓦，都受到保護。
從網格到貨架。
資料中心電源解決方案
HIITIO 為現代資料中心提供全套電氣元件，包括固態變壓器、SiC/IGBT 功率模組、陶瓷高壓直流接觸器、半導體熔斷器、高速轉換開關、直流隔離開關和現場儲能係統 (BESS)。我們是涵蓋整個電力架構的合格供應商。
系統架構
HIITIO 組件在您的電源鏈中的位置
現代直流架構資料中心跨越多個電壓域和保護層。此圖將每個 HIITIO 產品精確地對應到其在電源鏈中的位置—從公用設施輸入端到伺服器機架。
產品介紹
七個組成部分，一個協調一致的解決方案。
七大產品類別，統一架構。每個組件都經過認證，與應用相匹配，並設計成可以與其他組件協同工作——消除了多供應商採購帶來的協調風險。
01
電力轉換主幹網
固態變壓器（SST）
SST採用三級高頻SiC/IGBT開關架構，取代了傳統的鐵芯配電變壓器。在直流架構的資料中心中，它作為中壓交流電到低壓直流母線的單一轉換級，省去了中間的UPS和整流級，並在兆瓦級應用中將總轉換損耗降低了2-4個百分點。
- 用於直接直流母線配電的本地低壓直流連接埠（380–400 Vdc）
- 雙向電力流動－支援從現場儲能係統饋電至電網。
- 內建主動功率因數校正和THD濾波
- 容量：1.2兆瓦–5兆瓦（可靈活擴容）
- 結構緊湊：高頻變壓器取代了笨重的鐵芯。
| 權限 | 常規 | SST（HIITIO） |
|---|---|---|
| 頻率 | 50/60赫茲 | 1–100 赫茲 |
| 原生直流埠 | ✗ | ✓ |
| 主動式PFC | ✗ | ✓ |
| 雙向流 | ✗ | ✓ |
| 無功功率控制 | ✗ | ✓ |
| 總諧波失真濾波 | 僅被動 | 主動式、可編程 |
| 參數 | 規格 |
|---|---|
| 漏源電壓 | 高達 2,300 伏 |
| 導通電阻 | 5 mΩ（典型值，25°C） |
| 連續漏極電流 | 240 A @ Tc = 80°C |
| 最大功率耗散 | 710W¯¯ |
| 結溫 | −40°C 至 175°C |
| 隔離測試電壓 | 5,000V有效值 |
| 基材 | Si₃N₄ AMB |
| 拓撲 | 半橋 |
02
交換核心
SiC/IGBT半導體功率模組
HIITIO 的 SiC MOSFET 半橋模組採用 Si₃N₄ AMB 基板製造，具有優異的散熱性能，專為資料中心 SST、UPS 系統和 DC/DC 轉換器核心的高頻、高壓開關級而設計——在這些應用中，低開關損耗和可靠的散熱器核心的高頻、高壓開關級而設計——在這些應用中，低開關損耗和可靠的散熱器核心的高頻管理直接決定了系統效率。
- 漏源電壓高達 2,300 V——為 800 V 和 1,500 V 直流母線架構預留了餘裕
- 導通電阻低至 5 mΩ－額定電流下導通損耗極小
- 連續漏極電流高達 240 A，結溫高達 175°C
- 採用低電感佈局和隔離底板，適用於高密度安裝
03
直流母線控制
陶瓷高壓直流接觸器
航空級陶瓷氣密密封可在高達 2,500 Vdc 的電壓下實現可靠的滅弧，無需氫氣或氮氣填充。 HIITIO HCF 系列接觸器應用於資料中心電源架構的每個直流母線隔離和預充電點，從 SST 中間母線到 BESS 組串連接。
- 非極化弧消光－可在任何方向上工作
- 預充電電路支援限制電容器突波電流。
- 用於向電池管理系統/電子管理系統提供位置回饋的可選輔助觸點
- 寬溫度範圍：−40°C 至 +85°C
- 線圈電壓：12/24/48Vdc
| 參數 | 規格 |
|---|---|
| 額定電流 | 20 安 – 1,000 安 |
| 額定電壓 | 最高可達 2,500 伏特直流電 |
| 線圈電壓 | 12/24/48 伏特直流電 |
| 溫度範圍 | −40°C 至 +85°C |
| 弧滅絕 | 陶瓷真空密封，非極性 |
| 認證 | UL 60947-4、CE、CB、CCC、SEMKO |
| 輔助觸點 | 選配 |
| 保險絲類型 | 標準版 | 資料中心應用 |
|---|---|---|
| BS88半導體 | IEC 60269 | SST直流母線，BESS PCS |
| 方體 | IEC 60269 | 工業直流配電 |
| 北美玻璃纖維 | UL 248 | 美國市場資料中心 |
| aR（備份） | IEC 60269-4 | SiC/IGBT模組保護 |
| gGR（全範圍） | IEC 60269-4 | 通用直流電路保護 |
04
過流保護
半導體保險絲
SiC 和 IGBT 功率模組在承受超過其 I²t 額定值的故障電流時，會在微秒內失效。標準微型斷路器 (MCB) 和電路斷路器無法足夠快地切斷直流故障電流。 HIITIO 半導體熔斷器可在 1-2 毫秒內清除故障－在模組結溫達到失效閾值之前。與 HIITIO 的接觸器系列完全相容。
- 直流額定中斷－不依賴交流過零點
- 用於半導體開關保護的 AR（備用）型
- gGR（全範圍）型，用於一般直流電路保護
- 符合全球市場要求的 IEC 60269 和 UL 248 標準
- I²t 與 HIITIO 接觸器分斷額定值協調一致
05
直流母線保護
固態斷路器（SSCB）
HSB1-250 採用電力電子半導體技術取代了傳統的熱磁斷路器，可在 800V 直流電壓下於 100μs 內切斷故障電流，從而在下游 SiC 或 IGBT 模組受到損壞之前將其切斷。非接觸式設計徹底消除了電弧風險，而內建通訊功能則可對整個直流母線架構進行遠端監控和主動保護。
- 無電弧，無接觸磨損－額定電氣操作次數超過1,000,000萬次
- 中斷時間小於100微秒－比熔斷器、混合式斷路器或熱磁斷路器更快
- 透過 RS485、乙太網路或 4G 進行遠端跳閘和關閉
- 具有可調閾值（80–120% Vn）的過壓/欠壓保護
- 支援隔離功能－取代單獨的機械隔離開關
| 參數 | 規格 |
|---|---|
| 額定電壓 | 800 Vdc |
| 額定電流 | 63A - 250A |
| 中斷時間 | < 100 μs |
| 短路中斷能力 | 150 kA |
| 電氣壽命 | > 1,000,000 次操作 |
| 傳播學 | RS485/乙太網路/4G |
| 隔離功能 | 可以 |
| BESS 功能 | 資料中心優勢 |
|---|---|
| 調峰 | 降低需求費用和能源成本 |
| 備用電源/UPS | 有序關閉或完全持續運行 |
| 再生能源併網 | 吸收太陽能/風能盈餘 |
| 需求響應 | 電網項目收入 |
| 網格形成 | 邊緣資料中心/遠端人工智慧節點穩定性 |
06
現場能源儲備
電池儲能係統 (BESS)
HIITIO 基於磷酸鋰電池的儲能係統 (BESS) 可為資料中心削峰、備用電源、再生能源併網和需求響應提供現場能源儲備。該系統採用 EVE A 級電芯，整合電池管理系統 (BMS) 和能量管理系統 (EMS)，並由與直流母線架構其他部分相同的 HVDC 接觸器和半導體熔斷器組進行保護。
- 削峰：電網價格/需求電價較高時放電
- 備用/UPS功能：電網斷電期間的電力保障；與柴油發電機組連接
- 再生能源併網：吸收多餘的太陽能/風能，按需調度
- 需求響應：參與電網頻率響應計劃
- 邊緣資料中心和遠程AI推理節點的網格形成能力
- 磷酸鋰鐵化學性質：熱穩定性好，循環壽命長，無熱失控風險
07
維護隔離
直流隔離開關（HCG4系列）
HCG4系列直流隔離開關可在高達1,500V直流和2,500A的高壓直流電路中提供可見且可鎖定的隔離點。與接觸器不同，它採用手動操作，使維修工程師能夠在對直流母線、儲能係統串或固態變壓器模組進行操作之前，建立可驗證的斷路狀態。模組化單極設計簡化了多極組裝。
- 額定電壓：直流 1,000 伏特 / 直流 1,500 伏
- 額定電流：160 安培 – 2,500 安培
- 雙彈簧機構：快速接通/斷開，不受操作速度影響
- 操作方式：正面操作、側面操作、櫃子內操作、櫃外操作
- 用於遠端位置回饋的輔助觸點模組
- 認證：CE，RoHS
| 參數 | 規格 |
|---|---|
| 額定電壓 | 直流 1,000 伏特 / 1,500 伏 |
| 額定電流 | 160 安 – 2,500 安 |
| 運行機制 | 雙彈簧儲能 |
| 操作方式 | 正面/側面/櫃內/櫃外 |
| 配件 | 輔助觸點模組 |
| 認證 | CE，RoHS |
| 應用領域 | 直流資料中心、電池儲能係統 (BESS)、太陽能集熱器 (SST)、太陽能光伏發電 |
SST 與傳統
為什麼資料中心正在轉向固態電源轉換
用 SST 取代傳統的變壓器-UPS 鏈，可以減少轉換級數，消除被動鐵芯，並釋放原生直流母線輸出——直接轉化為兆瓦級更低的損耗和更小的佔地面積。
| 參數 | 傳統變壓器 + UPS 鏈 | 固態變壓器（SST） |
|---|---|---|
| 轉換階段（網格→伺服器） | 3-4個階段（損失複合） | 1-2個階段 |
| 原生LVDC匯流排輸出 | ✗（需要單獨的整流器） | ✓（380伏直流直通） |
| 功率因數校正 | 被動（或獨立的PFC階段） | 主動式、可編程 |
| 腳印 | 大型（鐵心+UPS機櫃） | 緊湊型（高頻變壓器+模組） |
| 雙向功率流 | ✗ | ✓（支援V2G、BESS整合） |
| 滿載效率 | 每階段約92-95% | 每階段96-98%以上（SiC） |
為什麼選擇HIITIO
協調的組成部分。
全球認證。工程支援。
協調、認證和規模—當一個兆瓦級資料中心的電氣完整性取決於您指定的組件時，這三件事至關重要。
協調保護堆疊
HIITIO熔斷器的I²t額定值經過精心設計，可保護上游接觸器。接觸器的分斷能力與熔斷器後的故障電流相符。隔離開關的額定值與母線橫截面相符。不存在協調不符的風險。
全球認證
UL 60947-4、UL 248、IEC 60269、CE、CB、CCC、SEMKO、RoHS — 涵蓋美國、歐盟、中國和新興市場的資料中心專案。
生產規模
總部佔地30,000平方米，配備內部測試實驗室。通過IATF 16949品質系統認證。採用MES控制系統實現全自動化生產。具備大批量OEM及專案供應能力。
工程支持
應用工程包括組件選擇、I²t 協調研究、高海拔或高環境條件下的降額應用，以及額定值、線圈電壓和通訊介面的客製化。
單一供應商
接觸器、熔斷器、隔離開關、轉換開關、電源模組、不銹鋼組件和儲能係統－全部來自同一合格供應商。減少採購關係，簡化品質保證流程，協調交貨週期。
50+ 個國家
在北美、歐洲、中東、東南亞及其他地區擁有超過500家滿意的客戶。具備完善的出口流程和物流經驗，能夠滿足資料中心專案的時間要求。
解決方案總結
完整的資料中心元件映射
從公用設施入口處的 AC/DC 轉換到維護存取的手動隔離——資料中心電源架構的每一層都對應到 HIITIO 產品所涵蓋的層面。
| 電力層 | 工程挑戰 | HIITIO 產品 | 主要規格 |
|---|---|---|---|
| 交流/直流轉換 | 多階段損失，大面積損毀 | 固態變壓器 | 高頻開關，原生直流端口，雙向 |
| 電源開關 | 低損耗、高頻轉換 | SiC/IGBT功率模組 | 最高電壓 2,200 伏特 / 電流 900 安，低導通/關斷電壓 |
| 直流母線保護 | 微秒故障電流清除 | 半導體保險絲 | aR/gR，符合IEC 60269/UL 248標準，清除時間<2毫秒 |
| 直流母線控制 | 可靠的隔離和預充電 | 陶瓷高壓直流接觸器 | 20–1,000 A，最高 2,500 Vdc，UL/CE/CB/CCC 認證 |
| 交流電源連續性 | 低於 10 毫秒的來源傳輸 | 高速轉換開關 | <5毫秒，32–800安培，400伏特交流電 |
| 現場能源儲備 | 備用電源、削峰填谷、再生能源 | 儲能係統（磷酸鋰） | EVE A級電芯，整合BMS/EMS |
| 維護隔離 | 安全可靠的直流隔離 | 直流隔離開關 | 160–2,500 安培，1,500 伏特直流，可鎖定 |
